MOSFET和IGBT在充电桩上的应用

针对充电桩市场应用,yl7703永利集团官网的高压超结MOS,其产品优势: 针对LLC拓扑,优化体二极管,增强di/dt能力,降低Qrr和驱动干扰;优化Vth,让多管并联工作更可靠……

MOSFET在便携储能上的应用

针对便携储能市场应用,yl7703永利集团官网的高压SJMOS,其产品优势:针对QR反激拓扑,优化开关速度,更容易通过EMI测试;针对谐振拓扑,优化体二极管,增强di/dt能力,降低Qrr和驱动干扰……

超结MOSFET在照明电源领域的应用

针对PFC拓扑,优化EAS,增强抗雪崩能力、增强抗浪涌能力;针对QR反激拓扑,优化开关速度,更容易通过EMI测试;针对LLC拓扑,优化体二极管,增强di/dt能力,降低Qrr和驱动干扰;优化Qg和Coss/Ciss比值,降低驱动损耗,提升驱动抗干扰能力。

SJ MOS在PD快充上的应用

针对QR反激拓扑,优化开关速度,更容易通过EMI测试; 针对LLC拓扑,优化体二极管,增强di/dt能力,降低Qrr和驱动干扰;优化Qg和Coss/Ciss比值,降低驱动损耗,提升驱动抗干扰能力;优化EAS,增强抗雪崩能力。

SGT MOS在电动二三轮车上的应用

针对H6拓扑,优化体二极管,降低反向恢复损耗;优化Qg和Coss/Ciss比值,降低驱动损耗,提升驱动抗干扰能力;高开启电压Vth、Vth一致性高,最高可支持30管并联;优化开关速度,获得更好的EMI特性;优化EAS,增强抗雪崩能力;使用分裂栅技术,更低的Rdson……

500V 平面 MOS 在高速电吹风筒上的应用

针对H6拓扑,优化体二极管,降低反向恢复损耗,优化Vth、Qg和Coss/Ciss比值,降低驱动损耗,提升驱动抗干扰能力,优化开关速度,更好的EMI特性……

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